應用領域
顯示屏
隨著VR、AR技術的發展及超高分辨率面板的需求，像素間距不斷縮小，以實現超過2500ppi的更高分辨率OLED面板，而傳統薄膜封裝（TFE)的厚度在12~14μm左右，像素發出的光穿過TFE膜層時會有混色異常。因此，iCVD技術（膜厚可降至幾十nm）可代替傳統TFE三層膜中的IJP制備的有機膜層(10 ~ 12 μm ），在保證封裝性能的同時能夠大幅降低封裝膜層厚度，改善混色，滿足日益精進的產品需求。
下一代顯示屏已朝柔性和可穿戴性發展。擁有良好柔性并兼具阻隔外界水汽功能的屏幕封裝，是柔性可穿戴屏幕穩定運行的保障。艾納膜科技(iNAF)結合頂尖薄膜制備技術研發卷對卷ALD/iCVD及PECVD/iCVD系統，助力柔性顯示屏跨越式發展。
半導體
可靠的介電層是半導體裝置長期穩定運行的關鍵。iCVD介電層可在維持足夠電容的情況下，降低器件的尺寸維度，提供超高的機械柔性，保證了器件的高效穩定運行。
iCVD/ALD系統已在下一代半導體裝置研發中得到廣泛的應用。
光伏
鈣鈦礦光伏是業內公認最有可能成為第三代的太陽能發電技術，在建筑一體化光伏、便攜式設備及航天領域有廣闊的應用前景。
iCVD系統助力解決鈣鈦礦光伏產業化過程中的面臨的柔性光伏器件效率低和高質量大面積吸光層制備難的痛點，推進高效鈣鈦礦光伏快速產業化。
MEMS
關于第四次工業革命的一切都將依托傳感器。MEMS/NEMS技術將引領和支持新型傳感器的發展，而iCVD及其集成系統將會是其中重要一環。
iNAF研發的薄膜材料沉積技術（iCVD系列及其ALD\oCVD等集成系統），有望成為MEMS/NEMS技術發展的有力支撐。
其他應用
在表面改性、油水分離、干膜潤滑、生物醫療等領域，iCVD具有著廣泛的應用。
